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中芯國(guó)際搞定7nm EUV光刻機(jī)?官方稱(chēng)報(bào)道不實(shí)
分類(lèi):硬件問(wèn)題 瀏覽:7 更新時(shí)間:2021-11-22中芯國(guó)際搞定7nm EUV光刻機(jī)?官方稱(chēng)報(bào)道不實(shí)
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中芯國(guó)際年底生產(chǎn)7nm工藝引外媒關(guān)注 中國(guó)芯片追上來(lái)了
分類(lèi):硬件問(wèn)題 瀏覽:90 更新時(shí)間:2021-11-22中芯國(guó)際年底生產(chǎn)7nm工藝引外媒關(guān)注 中國(guó)芯片追上來(lái)了
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回歸A股 國(guó)內(nèi)最大晶圓代工廠(chǎng)中芯國(guó)際或創(chuàng)最快上市紀(jì)錄
分類(lèi):硬件問(wèn)題 瀏覽:43 更新時(shí)間:2021-11-22回歸A股 國(guó)內(nèi)最大晶圓代工廠(chǎng)中芯國(guó)際或創(chuàng)最快上市紀(jì)錄
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海光國(guó)產(chǎn)X86為GF美國(guó)14nm代工 未來(lái)或由國(guó)內(nèi)生產(chǎn)
分類(lèi):硬件問(wèn)題 瀏覽:634 更新時(shí)間:2021-11-22海光國(guó)產(chǎn)X86為GF美國(guó)14nm代工 未來(lái)或由國(guó)內(nèi)生產(chǎn)
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中芯國(guó)際40nm工藝的ReRAM存儲(chǔ)芯片出樣:讀取速度比NAND快1000倍
分類(lèi):硬件問(wèn)題 瀏覽:10 更新時(shí)間:1970-01-01近日,兩者合作的結(jié)晶終于誕生,中芯國(guó)際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片,據(jù)介紹,這種芯片比NAND芯片性能更強(qiáng),密度比DRAM內(nèi)存高40倍,讀取速度快100倍,寫(xiě)入速度快1000倍,耐久度高1000倍
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中芯國(guó)際40nm工藝的ReRAM存儲(chǔ)芯片出樣:讀取速度比NAND快1000倍
分類(lèi):硬件問(wèn)題 瀏覽:83 更新時(shí)間:1970-01-01近日,兩者合作的結(jié)晶終于誕生,中芯國(guó)際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片,據(jù)介紹,這種芯片比NAND芯片性能更強(qiáng),密度比DRAM內(nèi)存高40倍,讀取速度快100倍,寫(xiě)入速度快1000倍,耐久度高1000倍
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中芯國(guó)際:美國(guó)修改政策 14nm等工藝可能無(wú)法為某些客戶(hù)代工
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不止華為麒麟710 國(guó)產(chǎn)14nm第二個(gè)客戶(hù)來(lái)了:USB 3.2/PCIe 3通吃
分類(lèi):硬件問(wèn)題 瀏覽:76 更新時(shí)間:2021-11-22不止華為麒麟710 國(guó)產(chǎn)14nm第二個(gè)客戶(hù)來(lái)了:USB 3 2 PCIe 3通吃
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