內存參數(shù)終極優(yōu)化之DDR篇

在一些超頻的文章中經常介紹到內存的時序設置，如“2-3-3-5”、“2-3-3-6”這一類的數(shù)字序列，這些是什么意思呢？如何對內存參數(shù)進行優(yōu)化設置呢？還有，有的會員問：“我買了雜牌內存，兼容性差，常常藍屏或出現(xiàn)莫名其妙的問題，如何解決呢？”，一夢浮生撰寫本文的目的，就是想通過本文來幫助大家解決這些問題的。
　　優(yōu)化內存的延遲參數(shù)對PC性能的提高有很大幫助。優(yōu)化內存是通過調節(jié)BIOS中幾個內存時序參數(shù)來實現(xiàn)的，如圖：

　在一些技術文章里介紹內存設置時序參數(shù)時，一般數(shù)字“A-B-C-D”分別對應的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，現(xiàn)在你該明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就這幾個參數(shù)及BIOS設置中影響內存性能的其它參數(shù)逐一給大家作一介紹：
　　一、內存延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設置
　　首先，需要在BIOS中打開手動設置，在BIOS設置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設置中可能出現(xiàn)的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable），如果要調整內存時序，應該先打開手動設置，之后會自動出現(xiàn)詳細的時序參數(shù)列表：
　　1、CL（CAS Latency）：“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”（可能的選項：1.5/2/2.5/3）
　　BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。這個參數(shù)很重要，內存條上一般都有這個參數(shù)標記。在BIOS設置中DDR內存的CAS參數(shù)選項通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”幾種選擇，SDRAM則只有“2”、“3”兩個選項。較低的CAS周期能減少內存的潛伏周期以提高內存的工作效率。因此只要能夠穩(wěn)定運行操作系統(tǒng)，我們應當盡量把CAS參數(shù)調低。反過來，如果內存運行不穩(wěn)定，可以將此參數(shù)設大，以提高內存穩(wěn)定性。
　　2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行尋址至列尋址延遲時間”（可能的選項：2/3/4/5）
　　BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。數(shù)值越小，性能越好。
　　
　　3、tRP(RAS Precharge Time): “內存行地址控制器預充電時間”（可能的選項：2/3/4）
　　BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。預充電參數(shù)越小則內存讀寫速度就越快。
　　4.tRAS(RAS Active Time): “內存行有效至預充電的最短周期”（可能的選項：1……5/6/7……15）
　　BIOS中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等。一般我們可選的參數(shù)選項有5，6或者7這3個，但是在一些nForce 2 主板上的選擇范圍卻很大，最高可到 15，最低達到 1。調整這個參數(shù)需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5－11之間。這個參數(shù)要根據(jù)實際情況而定，并不是說越大或越小就越好。具體的調整要遵循以下兩個原則：
　　a、當內存頁面數(shù)為4時 ，tRAS設置短一些可能會更好，但最好不要小于5。另外，短tRAS的內存性能相對于長tRAS可能會產生更大的波動性，對時鐘頻率的提高也相對敏感；當內存頁面數(shù)大于或等于8時，tRAS設置長一些會更好。
　　目前的芯片組都具備多頁面管理的能力，所以如果可能，請盡量選擇雙P-Bank的內存模組以增加系統(tǒng)內存的頁面數(shù)量。但怎么分辨是單P-Bank還是雙 P-Bank呢？就目前市場上的產品而言，256MB的模組基本都是單P-Bank的，雙面但每面只有4顆芯片的也基本上是單 P-Bank 的，512MB 的雙面模組則基本都是雙 P-Bank的。
　　頁面數(shù)量的計算公式為： P-Bank 數(shù)量X4，如果是Pentium4或AMD 64 的雙通道平臺，則還要除以2。比如兩條單面256MB內存，就是 2X4=8個頁面，用在875上組成雙通道就成了4個頁面。
　　b、對于875和865平臺，雙通道時頁面數(shù)達到8或者以上時，tRAS設置長一些內存性能更好；對于非雙通道Pentium4與AMD 64 平臺，tRAS長短之間的性能差異要縮小

二、Bank Interleaving“內存交錯技術”（可能的選項：Off/Auto/2/4）
這里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的內存芯片都是由4個L-Bank所組成，為了最大限度減少尋址沖突，提高效率，建議設為4（Auto也可以，它是根據(jù)SPD中的L-Bank信息來自動設置的）。有人甚至認為啟用內存交錯對于系統(tǒng)性能的提高比將內存CAS延遲時間從3改成2還要大。
　　Intel和VIA都支持內存交錯技術，主要模式有2路交錯(2-Bank )和4路交錯(4-Bank)兩種；不過出于對系統(tǒng)的穩(wěn)定性考慮，很多支持該技術的主板在默認情況下都關閉了內存交錯技術，或最多開啟2路內存交錯模式——雖然4路交錯可以帶來更大的性能提升。通過升級BIOS，VIA 694X以上芯片組都有機會開啟內存交錯設置項；即便BIOS不支持，也可以通過WPCREdit等專用軟件來修改北橋芯片的寄存器，從而打開內存交錯模式。
　　三、Burst Length“突發(fā)長度”（可能的選項：4/8）
一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平臺，建議設為8，如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平臺，建議設為4。

　　四、Command Rate“首命令延遲”（可能的選項：1/2）
這個選項目前已經非常少見，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內存的尋址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩(wěn)定性。因此當你的內存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時間，才需要將此參數(shù)調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數(shù)。
　　五、DRAM Clock“內存時鐘頻率”（可能的選項：Host Clock/Hclk-33MHz/Hclk 33MHz，說明：Host Clock即總線頻率和內存工作頻率同步、Hclk-33MHz即總線頻率減33MHz、Hclk 33MHz即總線頻率 33MHz”等三種模式可選。）
　　在內存同步工作模式下，內存的運行速度與CPU外頻相同。內存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令內存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz的情況下(也有采用3:4、4:5的倍頻模式的)。
　　通過調整該參數(shù)，我們不僅可以讓“老”內存發(fā)揮余熱，更重要的是可以充分挖掘內存的潛力及獲得更寬泛的超頻空間。Intel的810～875系列芯片組和威盛的693以后的產品，都支持內存異步。
　　注意：在BIOS中對內存進行優(yōu)化設置可能會對電腦運行的穩(wěn)定性造成不良影響，所以建議內存優(yōu)化后一定要使用測試軟件進行電腦穩(wěn)定性和速度的測試。如果您對自己內存的性能沒有信心，那么最好采取保守設置，畢竟穩(wěn)定性是最重要的。如果因內存優(yōu)化而出現(xiàn)電腦經常死機、重啟動或程序發(fā)生異常錯誤等情況，只要清除CMOS參數(shù)，再次設置成系統(tǒng)默認的數(shù)值就可以了。同時，如果內存運行不穩(wěn)定或兼容性差，可以根據(jù)文章中的相關介紹，反優(yōu)化之道行之，可起到提高內存穩(wěn)定性的效果。
　　說明：本文系參閱網上有關內存優(yōu)化的不少文章整理而成，從實用和全面的角度出發(fā)，去掉了不少專業(yè)性太強的陳述及評測，旨在幫助菜鳥朋友們了解內存設置，化化內存，提高系統(tǒng)性能，解決內存不穩(wěn)定和兼容性差而引發(fā)的故障。